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AMD投入高k+金属制程技术研发工作
时间:   作者:  来源:www.50fs.com

  英特尔在2007年末推出45nm penryn处理器,因采用高k+金属栅极技术而被广泛关注。英特尔称:采用高k+金属栅取代传统的多晶硅与SiO2氧化层后,与65nm技术相比,晶体管转换速度(频率)将因此提高20%,同时转换能耗减少30%,漏电降至1/5。

  

  AMD对此却表现的漫不在乎。AMD逻辑制程技术主管John Pellerin表示,AMD更关心消费者对其高k+金属制程技术的应用需求,而不是处理器技术竞赛。

  

  “AMD预计在2008年第二季开始销售新型处理器。除了45奈米制程即将在明年量产,AMD也不排除在该制程节点采用高k+金属制程技术,并将该技术应入到32奈米制程产品。” Pellerin在IEDM会议期间接受采访时表示。

  

  Pellerin还表示,AMD 32nm 高k+金属制程技术正处于一个“稳固的发展阶段”,这项技术已经转移到Dresden的Fab晶圆厂进行原型测试。该公司要推动现有的“continuous transistor improvement ”计划,努力使32nm的设计出炉。

  

  目前,Pellerin在美国纽约州的Hopewell Junction领导一个大约70人的工程师团队,正在与IBM在纽约Yorktown Heights的实验室密切合作,推进AMD 高k+金属制程技术发展,因而应用到最新的45nm和32nm处理器上。

责任编辑: 刘冰  
 
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