美光科技公司今天宣布，它将向客户和主要推广者提供业界最快的512兆比特（Mb）的行动DRAM器件样品，以用于功能丰富的最新行动电子设备。

　　随着行动应用增加了更多的计算和多媒体功能，更快，性能更好的记忆体成为优化性能的首要选择。而美光的512Mb移动DRAM可提供高达200MHz的最大时钟速度，每秒能够传输400Mb的资料，从而满足当今最先进的行动设备的需求。   

　　除具有符合JEDEC标准1.8伏特的输入/输出（I/O）外，该设备还有1.2伏特的I/O选件，该选件改进了高速、高频宽运行的信号传输，是下一代行动晶片组合的一个关键设计要求。它还提供了从摄氏-40度至+摄氏85度的运行温度范围，此运行温度范围较大，使其成为在极端条件下运转的产品的最佳选择。该公司计画将512Mb的行动DRAM与NAND快闪记忆体和管理NAND器件组装在一起，还打算将它用于多晶片封装或层叠封装。预计在今年第二季度会开始大规模生产。